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基本电子面试问题

电子工程学生需要面对一些基本的电子产品问题,无论他们是否正在准备采访或VIVA VOCE。因此,本文为您提供了一些面试和其他竞争考试的基本电子产品问题。

通常,您需要引用各种书籍,以涵盖电子产品的主题海洋。为了让你轻松,我从不同的主题中收集了一些基本的电子问题,并将它们组织成不同的部分。

最初,我将在大量选择类型的问题上集中注意力,将来我将添加解释和一些简短的答案类型问题。

基本介绍的问题

1.什么是理想的电压源?
答:内阻为零的器件。

2.什么是理想的电流源?
答:具有无限内阻的装置。

3.什么是实用的电压源?
答:一种内阻小的器件。

4.什么是实用电流源?
答:内阻具有大的装置。

5.理想电压源的电压是
答:0
B.常数
C.负载电阻相关
D.内阻依赖
答:B

6.当前源的电流是
答:0
B.常数
C.负载电阻相关
D.内阻依赖
答:B

7.称为可以携带电流的两个点之间的路径
答:一个网络
B.一个继电器
c电路
d .循环
答:C

8.根据欧姆法律的当前公式是
A.电压/电阻
B.电阻*电压
C.电压+电阻
D.电阻/电压
答:一个

9.电阻单位是
答:伏
b .音箱
c .欧姆
d .库仑
答:C

10.在恒压直流电路中,当电阻增大时,电流就会增大
A.减少
b .停止
c .增加
d .保持不变
答:一个

半导体基本理论问题

1.硅原子的价电子数为
答:1
b . 4
c . 8
D. 16.
答:B

2.最常用的半导体元件是
A. Silicon.
b .锗
c .镓
D.碳
答:一个

铜是一个
答:绝缘子
b .导体
c .半导体
D.超级指挥
答:B

4.硅原子的核中的质子数是
答:4
b . 14
C. 29.
D. 32.
答:B

5.导体的价电子也称为
答:束缚电子
b .自由电子
C.核心
d .质子
答:B

6.本征半导体在室温下具有
A.一些游离电子和孔
B.许多洞
C.许多自由电子
D.没有洞
答:一个

7.在室温下,本征半导体由于
A.兴奋剂
B.自由电子
C.热能
d .价电子
答:C

8.本征半导体中的空穴数为
等于自由电子数
B.大于自由电子数量
C.少于自由电子数量
D.以上都不是
答:一个

9.洞作为
答:原子
b .晶体
C.负责费用
d .正电荷
答:D

10.在小组中挑一个
A.指挥
B.半导体
C.四个价电子
D.晶体结构
答:一个

11.要生产p型半导体,您需要添加
答:三价杂质
b .碳
c .五价的杂质
d .硅
答:一个

12.电子是少数载体
A.外部半导体
B. P型半导体
c .本征半导体
d . n型半导体
答:D

13. P型半导体包含
A.孔和负离子
B.孔和正离子
空穴和五价原子
D.孔和供体原子
答:一个

14.五价原子有多少电子?
答:1
b . 3
c . 4
d . 5
答:D

15.负离子是
A.获得质子的原子
B.失去质子的原子
C.获得电子的原子
D.丢失电子的原子
答:C

16.PN结在势垒两边的电离结果是什么?
A.阻挡电压
B.结合
c .耗尽区
d .正向电压
答:C

17.耗尽区的原因是__________
A.扩散
B.离子
c .掺杂
d .正向电压
答:一个

18.下列哪项是半导体?
A.氩
b .碳
c .云母
d .陶瓷
答:B

19.掺杂材料如下
A. n型半导体
b大部分航空公司
C.外部半导体材料
d .五价的材料
答:D

20.我们可以很容易地激活少数载波使用
A.前部电压
b .掺杂
c .热
D.压力
答:C

基本半导体二极管问题

1.耗尽层是由
A.兴奋剂
b复合
c .潜在障碍
D.离子
答:B

2.二极管的反向电流通常为
A.非常小
b非常大
c . 0
D.在击穿区域
答:一个

3.二极管发生雪崩
A.障碍潜力
b .耗尽层
c .膝盖电压
D.击穿电压
答:D

4.硅二极管的势垒为
A. 0.3 V.
b . 0.7 V
C. 1 V.
D. 5V.
答:B

5.硅二极管中的反向饱和电流比锗二极管的反向饱和电流为_____
答:平等
b .更高
C.降低
D.取决于温度
答:C

6.A二极管是A
答:双边设备
b .非线性设备
c .线性设备
d .单相设备
答:C

7.二极管的电流对于哪个条件是大的
答:正向偏压
b .逆偏见
c .可怜的偏见
D.反向偏见
答:一个

8.桥式整流器输出电压信号为
答:半波
B.全波
C.桥接信号
d .正弦波
答:B

9.如果桥式整流器中二极管的最大直流电流额定值是1A,则最大直流负载电流是多少?
答:1
2 b。
4 c。
8 d。
答:B

10.电压倍增器产生
A.低电压和低电流
B.低电压和高电流
C.高电压低电流
D.高电压、大电流
答:C

11.什么是快船?
答:一种去除波形的一部分(正极或负极)使其不超过某一电压水平的电路。

12.什么是夹克?
答:一个电路,用于向波添加DC电压(正或负)。

13.可以描述齐纳二极管
A.整流二极管。
一个固定电压的装置。
一个恒流装置。
D.在前向区域工作的设备。
答:B

14.如果齐纳二极管以错误的极性连接,则负载上的电压是
答:0.7 V
b . 10 V
c . 14 V
D. 18 V.
答:一个

15.由于二极管只允许一个方向的电流流动,所以它们可以用于
A.当前限制
B.反极性保护
C.储存费用
D.电压调节
答:B

16.当你用万用表测试一个好的二极管时,它会显示
正偏或反向偏时电阻低
正偏或反向偏时电阻高
正偏时电阻高,反偏时电阻低
D.当反向偏置时正向偏置和高阻时,低电阻
答:D

17.当前流动何时在PN结中流动?
当p型元素和n型元素的电势相同时
B.当P型或n型元素没有潜力时
C.当p型元素的电位大于n型元素时
D.当n型元素比n型更积极潜力时
答:C

18.通常使用夹紧电路
A.电视发射机和接收器
b . FM发射器
C.信号发生器(正方形、梯形等)
D.以上所有
答:D

19.二极管的正向偏置和反向电流的测量单位是
A.μA和μA
答案:A
答案:c
D. Ma和Ma
答:B

20.什么图形方法是用来建模二极管特性
答:指数法
B.小信号近似
c .迭代法
D.恒压降法
答:一个

晶体管的基本问题

1.晶体管中PN结的数目
A.一个
B.二
c .三
D.四
答:B

2.NPN晶体管中基极的掺杂浓度为
答:轻掺杂
b .适度掺杂
c .重掺杂
D.没有掺杂
答:一个

3.NPN晶体管中的基极-发射极二极管(基极-发射极结)为零
A.不进行
b .正向偏压
C.反向偏见
D.在崩溃区域进行操作
答:B

4.基础,发射器和收集器之间的大小比较是
Base >采集器>发射器
B.发射器>收集器>基地
C.收集器>发射极>基极
D.一切都是平等的
答:C

5.底座 - 集电二极管(基本收集器结)通常是
A.反向偏见
b .正向偏压
C.崩溃区域
d .没有传导
答:一个

6.晶体管的直流电流增益为
A.发射极电流与集电极电流之比
B.基极电流与发射极电流之比
C.集电器电流与基极电流的比率
D.基准电流的碱基比率
答:C

7.如果基电流为100µA,电流增益为100,则采集器电流为
答:1
B. 10A
c . 1马
d . 10马
答:D

8.在NPN和PNP晶体管中,载流子最多的是
A.空穴与电子
B.电子和空穴
C.受体离子和供体离子
d .没有
答:B

9.晶体管起晶体管的作用
A.电压源和电流源
B.电流源和电阻器
C.二极管和电流源
二极管和电源
答:C

10.基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC之间的关系为
A. ie = ib + IC
B. ib = IC + ie
C. IE = IB - IC
答案:d
答:一个

11.晶体管耗散的总功率是集电极电流和功率的乘积
答:电源电压
B. 0.7V.
C.集电极 - 发射极电压
基极-发射极电压
答:C

12.共同发射器配置的输入阻抗是
答:低
B.高
c . 0
d .很高
答:一个

13.共发射极配置的输出阻抗为
答:低
b非常低
c .高
d . 0
答:C

14.两种类型的双极连接晶体管(BJT)是
A. NNN和PPP
B. npn和pnp
C. PNN和NPP
答案:d
答:B

15.BJT常见故障有哪些?
答:内部短
b、开路偏压电阻
C.对外开放
答案:d
答:B

16.数字电路中的晶体管通常的操作区域是
答:活跃的地区
B.线性区域
C.崩溃区域
D.截止和饱和区域
答:D

17.发射器跟随配置的另一个名称是
A.公共基本放大器
B.普通发射器放大器
C.共集电极放大器
d·达林顿对
答:C

18.BJT是_________,FET是________
A.双相和单相
B.双相和双相
C.单极和单极
D.单极和双相
答:一个

19.共同基础配置(α)的当前增益是
A.基极电流与发射极电流之比(IB/IE)
B.集电极电流与发射极电流之比(IC/IE)
C.集电极电流与基极电流比值(IC/IB)
d .没有
答:B

20.α与ß的关系是
α = ß / (ß + 1)
ß = α / (1 - α)
C. α = ß * (ß + 1)
α = ß / (ß - 1)
答:A和B